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| 资料编号：1390 |
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| 资料名称：FM1808 256K位的并行存储器 中文版 |
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| 文件大小： 335 K 字节 |
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说明：
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| 介绍: |
FM1808是用先进的铁电技术制造的
256K位的非易失性的记忆体铁电随机
存储器FRAM 是一种具有非易失
性并且可以象RAM一样快速读写但
它没有BBSRAM模组系统的设计复杂
性缺点和相关的可靠性问题数据在
掉电可以保存10年高速写以及高擦写
次数使得它比EEPROM或其他非易失性
存储器可靠性更高系统更简单
在系统操作时FM1808象RAM一
样读与写的周期相等FRAM具有非易
失性是归于它先进的工艺不象
BBSRAM 它是一款真正的非易失性记
忆体有SRAM的功能但没有SRAM
的缺点
FM1808的写能力使得它在需要对非
易失性记忆体快速读写的状况下非常理
想表面贴状提高了新设计的制造能
力工业温度-40 C to +85 C
特性
1 256K位的非易失性铁电随机存储器
组织结构为32768*8位
读写寿命为100亿次
掉电数据保存10年
写数据无延时
先进的铁电技术制造
2 对BBSRAM模组的优势
没有电池产生的不良因素
电路简化可靠性高
真正的表面贴装方案
在潮湿电击和防震方面优于BBSRAM模组
3 与SRAM或并行EEPROM兼容
JEDEC 32K*8的SRAM或EEPROM脚位
70NS访问时间
130NS的周期
4 低功耗操作
工作电流为25MA
待机电流20UA
5 工业标准
工业温度-40 C to +85 C
8脚---DIP和SOIC |
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