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资料编号:1452
 
资料名称:IPM(智能功率模块)应用手册 中文版
 
文件大小: 1150 K 字节
   
说明
 
介绍:
把MOS 管技术引入功率半导体器件的思想开创了革命性的器件:绝缘栅双
极晶体管IGBT。她正在影响着工业,消费,军事等电力电子系统。
随着IGBT 的工作频率在20KHZ 的硬开关及更高的软开关应用中,我们已
然把她代替了MOSFET 和GTR
IGBT 的发展使集外围电路内置于一块功率模块的IPM 脱颖而出。IPM 已被
用于无噪声逆变器,低噪声UPS 系统和伺服控制器等设备上。IPM 使用户产品的
体积减小,缩短上市时间,简化开发步骤。因为她内含:栅极驱动,短路保护,
过流保护,过热保护和欠压锁定
 
 
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