MBM29LV800TA/BA 是一个8M 位，3.0V 的FLASH 存储器，可以形成1M
8 位或512K 16 位两种模式。MBM29LV800TA/BA有48－pin TOSP；44－pin SOP；
48－ball FBGA 三种封装。这种器件在系统中用3.0V 进行编程擦写操作。擦写
操作不必用12.0V 和5.0V 供电。器件同标准EPROM 一样可以重复编程使用。
标准的MBM29LV800TA/BA 提供70ns 和120ns 的读取时间，允许高速的微
处理器没有等待的操作。为了不使总线冲突分开了芯片的片选（/CE）,写线
（/WE），读线（/OE）控制。
MBM29LV800TA/BA 的引脚和命令设置兼容了JEDEC 标准的E2PROMs。
指令被写入命令寄存器使用标准的微处理器写入时序。写周期也内部包含锁地
址、数据为了编程和擦写操作。从芯片读数据与5.0V 和12.0V FLASH 或EPROM
基本相同。
MBM29LV800TA/BA 按编程命令的时序进行编程。这将调用内部运算法则，
法则将自动产生脉冲宽度并验证合适单元的空白页。典型的：每个扇区用0.5 秒
钟编程校验。按擦写命令的时序进行擦写。这将调用内部的擦写运算法则，如果
在执行擦写操作前数据段没有写入程序，法则将自动预编程段。在擦写中，芯片
将自动产生擦写脉冲宽度和校验合适单元的空白页。
如果一个扇区已经被预编程，一般将用1.0 秒钟完成擦写和校验。
此芯片的特点就是扇区擦写结构，扇区模式允许每一个扇区被擦写和预编程
并不影响其他的扇区。MBM29LV800TA/BA 一经出场就被擦写过了。
此芯片的读写操作都是3.0V 供电。内部产生控制电压用来编程和擦写操作。
一个低电平Vcc 检测器自动将写操作限制在能量损失内。通过轮流检测/Data
DQ7、DQ6、RY/BY 引脚得到编程或擦写完成的信息。一旦结束了编程或擦写
时序后，芯片内部将重设为读模式。
Fujitsu 结合了多年的制作EPROM 和E2PROM 的经验制造了这个高质量、
高性能、高能性价比的FLASH。MBM29LV800TA/BA 存储器电擦写整个芯片或
某个扇区的所有位都通过Fowler-Nordhiem tunneling.应用EPROM的热电子注射
机制将字节（字）编入芯片。 |
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