SST39LF/VF160是一个1M16的CMOS多功能FlashMPF器件由SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成SuperFlash技术的分裂闸split-gate单元结构和厚氧化物制程的采用可提供可靠性更强工艺更完善的解决方案相对其它方法SST39LF160的写编程或擦除操作电源电压为3.03.6V
SST39VF160的写编程或擦除操作电源电压为2.73.6V这两个器件都符合16存储器的JEDEC标准的管脚分配
SST39LF/VF160具有高性能的字编程功能字编程时间为14us器件通过触发位或数据#查询位来指示编程操作的完成为了防止意外写的发生器件还提供了硬件和软件数据保护机制SST39LF/VF160的10,000个周期的耐用性和大于100年的数据保持时间使其可广泛用于设计制造和测试等应用中
SST39LF/VF160尤其适用于要求程序配置或数据存储器可方便和低成本地更新的应用对于所有的系统SST39LF/VF160的使用可显著增强系统的性能和可靠性降低功耗它们比其它技术制造的Flash器件在擦除和编程操作中消耗更少的能量所有能量的消耗与应用的电压电流和操作时间有关由于不管对于任何的电压范围SuperFlash技术都消耗很小的电流使用很短的擦除时间因此SST39LF/VF160在擦除或编程操作中消耗的能量小于其它Flash技术制造而成的器件SST39LF/VF160也增强了程序数据和配置存储器的低成本应用的灵活性
特性
1M16的结构
单个电压的读和写操作
SST39LF160为3.03.6V
SST39VF160为2.73.6V
高可靠性
耐用性100,000个周期典型
数据保持时间大于100年
低功耗14MHz时的典型值
有效电流12mA典型
等待电流4uA典型
自动低功耗模式4uA典型
扇区擦除能力
相同的2K字扇区
快速读访问时间
SST39LF160为55ns
SST39VF160为70ns和90ns
地址和数据可锁存
快速擦除和字编程Word-Program
扇区擦除时间18ms典型
块擦除时间18ms典型
芯片擦除时间70ms典型
字编程时间14us典型
芯片重写时间SST39LF/VF160为15s典型
自动写时序
内部VPP产生
写结束检测
触发位
数据#查询位
CMOS I/O兼容
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